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在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
2000年，由斯坦姆引荐至太仓的德企已超10家；2007年，百家德企在此扎根；到2024年，数量突破500家。这一过程中，太仓对德合作不断提速，从1家到100家德企用了14年；从400家跃升至500家，仅两年有余。
普雷舍斯表示，儘管南極存在很高的物理危險，但社交互動往往帶來更多問題。當關係破裂時，後果難以修補，也難以控制。